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本申请提供了一种基于远程氢等离子体刻蚀与π‑π堆积作用的单分子电子器件及其制备方法。单分子电子器件由石墨烯三角形点电极对、功能分子、异质结连接界面、金属电极及平整的基底(5)构成。本申请的原子级精准的单分子电子器件中，基于远程氢等离子刻蚀得到的三角形石墨烯电极边缘的zigzag构型明确，间距大小可控。该方法避免对电极直接进行修饰，通过对中心功能分子氨基末端的修饰，得到可与惰性电极直接组装的稠环芳烃末端，利用稳定的范德华作用，即π‑π堆积实现单分子异质结的构筑。所述原子级精准的单分子电子器件性能与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116583115 A
(43)申请公布日 2023.08.11
(21)申请号 202310477595.9 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2023.04.
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