不同温度下相同药品比例ZnO结构的制备与表征.docxVIP

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2023-08-13 发布于湖南
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PAGE 28 摘要半导体材料氧化锌是禁带宽度为3.37eV的II-VI族直接宽带隙半导体。在室温条件下激子束缚能为60meV，在现实应用中ZnO多在半导体光电器件方面。这些光电器件包括紫外薄膜晶体管、紫外探测器、激光二极管、气体传感器、发光二极管等。正如大家所了解到的，ZnO是 n型导电本征半导体材料，要想将ZnO运用到现实生活中制备光电器件上，就需要制备特定条件的p型ZnO材料。这些条件包括可反复和稳定程度高。本文主要探讨了，蒸发源药品（ZnO）时改变蒸发温度温度和蒸发温度不变，改变蒸发源药品（ZnO）和催化剂（C）摩尔配比的条件下在Si衬底上生长ZnO薄膜质量的好坏。运用易