CVD法制备ZnO薄膜生长取向及表面形貌研究.docVIP

沈阳工程学院毕业论文 大连理工大学硕士学位论文 CVD法制备ZnO薄膜生长取向及表面形貌研究 PAGE 2 摘 要 氧化锌是良好的半导体材料，无毒无害，常温下是六角纤维矿结构，是直接带隙半导体，在目前研究的半导体中，氧化锌的性质稳定且廉价，并且氧化锌是一种宽带系半导体材料。在氧化锌半导体中参杂不同的元素，可以让它有着不同的新功能，光催化以及生物敏感性等。 在本论文中，主要采用XRD和AFM对在不同条件下生长出的氧化锌薄膜进行分析与测试，了解在低温与高温之间氧化锌的外貌以及薄膜表面的平整度。本文主要从三个方面进行讨论。 1、首先，我们对氧化锌的物理性质做了简单的介绍，同时还表述了性能及应用