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⾦属学与热处理课后习题答案第七章 第七章⾦属及合⾦的回复和再结晶 7-1 ⽤冷拔铜丝线制作导线，冷拔之后应如何如理，为什么？ 答： 应采取回复退⽕（去应⼒退⽕）处理：即将冷变形⾦属加热到再结晶温度以下某⼀温度，并保温⾜够时间，然后缓慢冷却到室 温的热处理⼯艺。 原因：铜丝冷拔属于再结晶温度以下的冷变形加⼯，冷塑性变形会使铜丝产⽣加⼯硬化和残留内应⼒，该残留内应⼒的存在容 易导致铜丝在使⽤过程中断裂。因此，应当采⽤去应⼒退⽕使冷拔铜丝在基本上保持加⼯硬化的条件下降低其内应⼒（主要是 第⼀类内应⼒），改善其塑性和韧性，提⾼其在使⽤过程的安全性。 7-2 ⼀块厚纯⾦属板经冷弯并再结晶退⽕后，试画出截⾯上的显微组织⽰意图。答：解答此题就是画出⾦属冷变形后晶粒回 复、再结晶和晶粒长⼤过程⽰意图 （可参考教材P195，图7-1） 7-3 已知W、Fe、Cu的熔点分别为3399℃、1538℃和1083℃，试估算其再结晶温度。 答： 再结晶温度：通常把经过严重冷变形（变形度在70%以上）的⾦属，在约1h的保温时间内能够完成超过95%再结晶转变量的温 度作为再结晶温度。 1、⾦属的最低再结晶温度与其熔点之间存在⼀经验关系式：T再≈δTm，对于⼯业纯⾦属来说：δ值为0.35-0.4，取0.4计算。 2、应当指出，为了消除冷塑性变形加⼯硬化现象，再结晶退⽕温度通常要⽐其最低再结晶温度⾼出100-200℃。 如上所述取T =0.4Tm，可得： 再 W再=3399×0.4=1359.6℃ Fe再=1538×0.4=615.2℃ Cu再=1083×0.4=433.2℃ 7-4 说明以下概念的本质区别： 1、⼀次再结晶和⼆次在结晶。 2、再结晶时晶核长⼤和再结晶后的晶粒长⼤。 答： 1、⼀次再结晶和⼆次在结晶。 定义 ⼀次再结晶：冷变形后的⾦属加热到⼀定温度，保温⾜够时间后，在原来的变形组织中产⽣了⽆畸变的新的等轴晶粒，位错密 度显著下降，性能发⽣显著变化恢复到冷变形前的⽔平，称为（⼀次）再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长⼤的过程。 ⼆次再结晶：经过剧烈冷变形的某些⾦属材料，在较⾼温度下退⽕时，会出现反常的晶粒长⼤现象，即少数晶粒具有特别⼤的 长⼤能⼒，逐步吞⾷掉周围的⼩晶粒，其最终尺⼨超过原始晶粒的⼏⼗倍或上百倍，⽐临界变形后的再结晶晶粒还要粗⼤得 多，这个过程称为⼆次再结晶。⼆次再结晶并不是晶粒重新形核和长⼤的过程，它是以⼀次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础 ⽽异常长⼤，严格来说它是特殊条件下的晶粒长⼤过程，并⾮是再结晶过程。 本质区别：是否有新的形核晶粒。 2、再结晶时晶核长⼤和再结晶后的晶粒长⼤。 定义 再结晶晶核长⼤：是指再结晶晶核形成后长⼤⾄再结晶初始晶粒的过程。其长⼤驱动⼒是新晶粒与周围变形基体的畸变能差， 促使晶核界⾯向畸变区域推进，界⾯移动的⽅向，也就是晶粒长⼤的⽅向总是远离界⾯曲率中⼼，直⾄所有畸变晶粒被新的⽆ 畸变晶粒代替。 再结晶后的晶粒长⼤：是指再结晶晶核长⼤成再结晶初始晶粒后，当温度继续升⾼或延长保温时间，晶粒仍然继续长⼤的过 程。此时，晶粒长⼤的驱动⼒是晶粒长⼤前后总的界⾯能的差，界⾯移动的⽅向，也就是晶粒长⼤的⽅向都朝向晶界的曲率中 ⼼，直⾄晶界变成平⾯状，达到界⾯能最低的稳定状态。 本质区别： 1、长⼤驱动⼒不同 2、长⼤⽅向不同，即晶界的移动⽅向不同。 7-5 分析回复和再结晶阶段空位与位错的变化及其对性能的影响。 答： 回复阶段： 回复：是指冷塑性变形的⾦属在加热时，在光学显微组织发⽣改变前（即再结晶晶粒形成前）所产⽣的某些亚结构和性能的变 化过程。 空位和位错的变化及对性能的影响： 回复过程中，空位和位错发⽣运动，从⽽改变了他们的数量和组态。 低温回复时，主要涉及空位的运动。空位可以移⾄表⾯、晶界或位错处消失，也可以聚集形成空位对、空位群，还可以与间隙 原⼦相互作⽤⽽消失，总之空位运动的结果使空位密度⼤⼤减⼩。电阻率对空位密度⽐较敏感，因此其数值会有显著下降。⽽ ⼒学性能对空位的变化不敏感，没有变化。 中温回复时，主要涉及位错的运动。由于位错滑移会导致同⼀滑移⾯上异号位错合并⽽相互抵消，位错密度略有下降，但降低 幅度不⼤，⼒学性能变化不⼤。⾼温回复时，主要涉及位错的运动。位错不但可以滑移、⽽且可以攀移，发⽣多 边化，使错密度有所降低，降低系统部分内应⼒，从⽽使硬度、强度略有下降，塑性、韧性得到改善。 综上，回复过程可以使冷塑性变形的⾦属在基本保持加⼯硬化的状态下降低其内应⼒（主要是第⼀类内应⼒），减轻⼯件的翘 曲和变形，降低电阻率，提⾼材料的耐蚀性并改善其塑性和韧性，提⾼⼯件使⽤时的安全性。 再