第一章光电检测技术基础.pptVIP

* 复合机制 直接复合—导带中电子直接跳回到价带，与价带中的空穴复合。 间接复合—通过复合中心复合。 复合中心—禁带中杂质及缺陷。 电子俘获—电子从导带落入到复合中心称电子俘获。 空穴俘获—电子从复合中心落入价带称空穴俘获。 电子发射—电子从复合中心被激发到导带称电子发射。 空穴发射—电子从价带被激发到复合中心 1—电子俘获? 2—空穴俘获? 3—电子发射? 4—空穴发射 第六十一页，共一百零一页，2022年，8月28日 * 表面复合：材料表面在研磨、抛光时会出现许多缺陷与损伤，从而产生大量复合中心。发生于半导体表面的复合过程称为表面复合。 第六十二页，共一百零一页，2022年，8月28日 * 光注入过程的机制 1、在光照过程中，产生与复合同时存在。 2、在恒定持续光照下产生率保持在高水平，同时复合率也随非平衡载流子的增加而增加，直至二者相等，系统达到新的平衡。 3、当光照停止，光致产生率为零，系统稳定态遭到破坏，复合率大于产生率，使非平衡载流子浓度逐渐减少，复合率随之下降，直至复合率等于热致的产生率时，非平衡载流子浓度将为零，系统恢复热平衡状态。 第六十三页，共一百零一页，2022年，8月28日 §1-3?半导体基础知识 能带理论 热平衡态下的载流子 非平衡态下的载流子 载流子的运动 半导体对光的吸收 第六十四页，共一百零一页，2022年，8月28日 * §1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子运动的概念 1、电子在晶体中的运动与气体分子的热运动类似。 2、当没有外加电场时，电子作无规则运动，其平均定向速度为零。 3、一定温度下半导体中电子和空穴的热运动是不能引起载流子净位移，从而也就没有电流。 4、漂移和扩散可使载流子产生净位移，从而形成电流。 第六十五页，共一百零一页，2022年，8月28日 * §1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子漂移 1、载流子在外电场作用下，电子向正电极方向运动，空穴向负电极方向运动称为漂移。 2、在强电场作用下，由于饱和或雪崩击穿,半导体会偏离欧姆定律。 3、在弱电场作用下，半导体中载流子漂移运动服从欧姆定律。 4、讨论漂移运动的重要参量： ? 迁移率μ（电子迁移率μn，空穴迁移率μp），μ的大小主要决定于晶格振动及杂质对载流子的散射作用。??? 第六十六页，共一百零一页，2022年，8月28日 * §1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子扩散 1、载流子因浓度不均匀而发生的从浓度高的点向浓度低的点运动。 2、光注入时，光在受照表面很薄一层内即被吸收掉。 3、受光部分将产生非平衡载流子，其浓度随离开表面距离x的增大而减小，因此非平衡载流子就要沿x方向从表面向体内扩散，使自己在晶格中重新达到均匀分布。 第六十七页，共一百零一页，2022年，8月28日 * §1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子漂移与扩散的并存 1、在半导体既受光照，又外加电场时，扩散与漂移同时存在。 2、扩散系数D（D表示扩散的难易）与迁移率μ（μ表示迁移的快慢）之间有爱因斯坦关系式： D=(kT/q)μ kT/q室温下为0.026V，D与μ成正比。 ?3、电子与空穴沿x轴扩散，但Dn≠Dp，故它们引起的扩散流不能抵消。在电场中多子、少子均作漂移运动，因多子数目远比少子多，所以漂移流主要是多子的贡献。 4、在扩散时，如光照产生非平衡载流子，此时非平衡少子的浓度梯度最大，所以对扩散流的贡献主要是少子。 第六十八页，共一百零一页，2022年，8月28日 §1-3?半导体基础知识 能带理论 热平衡态下的载流子 非平衡态下的载流子 载流子的运动 半导体对光的吸收 第六十九页，共一百零一页，2022年，8月28日 * 半导体对光的吸收 半导体光电器件的工作基础 1、半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器件的工作基础。 2、光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： Ix=I0(1-r)e-αx Ix：距离表面x处的光强 I0：入射光强 r：材料表面的反射率 α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关 光垂直入射于半导体表面时发生反射与吸收 第七十页，共一百零一页，2022年，8月28日 * §1-3?半导体基础知识 半导体对光的吸收 半导体的光本征吸收 1、半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收。 2、产生本征吸收的条件：入射光子的能量（hν）至少要等于材料的禁带宽度Eg。即 hν≥Eg 从而有 ν0≥Eg/h λ0≤h/Eg=1.24μm·eV