PN结伏安特性的测量.docVIP

PAGE PAGE 4 实 验 报 告 课程名称： 大学物理实验（一） 实验名称： PN结伏安特性的测量 一、实验目的 实验要求作出PN结正、反向伏安特性曲线，以直观理解PN结正向导通 、 反向截止的电特性，为理解半导体内部带电离子漂移、 扩散等运动提供强有力的事实依据。 为得出准确合理的曲线，需正确地连接实验线路， 弄清伏安法内接和外接的区别以及待测揽阻值大小与之相应的接法；需采集微小变化扯 、 非线性点的原始数据。 在采集正反向曲线(U、I) 点时应区别对待。 通过本实验激发实验者的空间想象、逻辑推理能力，训练应变能力以及强化严谨分析问题的能力和务实的工作作风，形成科学探索研究素养。本实验着重培养和提高实验者在 半导体领域的基本实验测试技术。 二、实验原理 半导体分本征和杂质两大类。 纯净的无杂质的半导体称为本征半导体 。 在本征半导体中掺入微量的杂质，将显著地改变半导体的特性，成为杂质半导体 。若在锗中掺入百万分之一的砷后，其导电率将提高数万倍。杂质半导体分空穴型(P型）和电子型(N型）两种。下面对它们的导电性分别作一些简要的说明。 如图 7-1 所示，将五价杂质原子珅(As)掺入到四价硅(Si)中，砷有五个价电子，其中四个价电子与相邻的硅原子形成共价键，第五