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题 目：基于超薄HfO2:Al绝缘层
的MoS2基晶体管性能研究
基于超薄HfO2:Al绝缘层的MoS2基晶体管性能研究
摘 要
摩尔定律对晶体管不断提出新的挑战，传统硅基晶体管由于不断接近其物理极限，短沟道效应愈发明显，对器件的开关速度、传输速度、稳定性及功耗等都造成了巨大影响。本文尝试选用新型二维半导体材料构建晶体管以进一步提高器件性能，减小器件体积。沟道材料选用了具备低介电常数和超薄原子级厚度的一种二维材料——MoS2；同时栅极绝缘介质材料采用了具有铁电性质的高k材料——HfO2:Al。
利用脉冲激光沉积（PLD）技术，在硅衬底上，生长超薄的HfO2:Al薄膜绝缘层和 MoS
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