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一种半导体元件，包括设置在一半导体基底中的一第一源极或漏极区及一第二源极或漏极区。该半导体元件还包括设置在该半导体基底中并位于该第一源极或漏极区与该第二源极或漏极区之间的一字元线结构。该字元线结构包括一复合栅极介电质，以及设置在该复合栅极介电质上的一下电极层。该字元线结构还包括设置在该下电极层上的一上电极层，以及设置在该下电极层与该上电极层之间的一石墨烯层。该复合栅极介电质包括一栅极介电层及一保护衬层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116600561 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202211444805.6
(22)申请日 2022.11.18
(30)优先权数据
17/670,758 2022
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