基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序.pdfVIP

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2023-08-16 发布于四川
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基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序.pdf

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具有通过进行预定次数的循环，在基板上形成膜的工序，所述循环包括：对处理容器内的基板供给原料气体的工序a；将含氮和氢气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序b；以及将惰性气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序c，使工序c中的所述处理容器内的压力比工序b中的所述处理容器内的压力低。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116601744 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202180085133.1 (74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限