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光通信论坛-源杰半导体_光通讯 InP 激光器进展_20230224_对外版
光通讯 InP 激光器进展
潘 彦廷
2023/02/24
0
Outlines
p InP 材料系用于光通信激光芯片
p InP 材料系边射型激光器发展现况
p InP 激光器设计与开发
p 高速 DML
p 大功率激光器
p Summary
1
2
p 光通信应用激光器采用III-V族半导体材料(Al、 Ga、In、 P与A
p 光通信应用激光器采用III-V族半导体材料(Al、 Ga、In、 P与As)形成直接带隙半导体
p 直接带隙半导体无需声子接收或提供动量, 可直接复合电子与空穴,以光形式输出,电 光转换效率高
Direct optical transitions
激光器采用
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