集成沟槽式电容器.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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集成沟槽式电容器.pdf

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本发明涉及一种集成沟槽式电容器，其中具体公开了一种深沟槽式电容器(100)以及用于在半导体工艺中提供深沟槽式电容器(100)的方法(400A)。该方法包括在半导体晶片的第一区域(106、108)中形成(405)多个深沟槽(111)，第一区域具有第一类型掺杂的阱。在多个深沟槽的表面上形成(410)介电层(110)，并且沉积(415)掺杂多晶硅层(112)以填充多个深沟槽，其中掺杂多晶硅掺杂有第二类型的掺杂剂。在介电层与半导体晶片的表面的交点处，形成(420)覆盖介电层的浅沟槽隔离(114)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107818970 A (43)申请公布日 2018.03.20 (21)申请号 20171