一种半导体器件的分析方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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一种半导体器件的分析方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的分析方法，用以分析HKMG鳍式场效应晶体管的多个电性参数和制造所述晶体管的多个工艺参数，具体包括：针对每一电性参数执行关键工艺参数关联性分析，其中所述关键工艺参数关联性分析包括：分别构建该电性参数对应每一个工艺参数中的多个电性‑工艺模型；对每一个所述电性‑工艺模型进行敏感性分析；基于获得的电性‑工艺模型的敏感性分析结果从所述多个工艺参数中确定多个关键工艺参数；以及基于知识数据库确定所述电性参数与所述多个关键工艺参数之间的关系。根据本发明所提供的分析方法，通过专家系统来

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109933946 A (43)申请公布日 2019.06.25 (21)申请号 20191