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第⼆篇模拟电⼦技术基础 模拟电⼦技术基础 半导体⼆极管及其整流电路 半导体⼆极管和三极管是最常⽤的半导体器件。它们的基本结构、⼯作原理、特性和参数是学习电⼦技术和分析电⼦电路必不可少的基础， ⽽PN结⼜是构成各种半导体器件的共同基础。本章从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理（特别是它的单向导电性）开始，然后介绍 ⼆极管特性参数及基本应⽤。 在⾃然界中，物质按其导电能⼒的⼤⼩可分成导体、绝缘体和半导体三⼤类。⾦、银、铜、铁、铝等容易导电的物质称为导体。塑料、陶 瓷、橡⽪等导电能⼒很差的物质称为绝缘体。⽽半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。常⽤的半导体有锗、硅和砷化镓等。 ⼀、原⼦结构与导电性 物质导电性能的差异主要由物质的内部结构决定。物质是由原⼦组成的，原于是由带正电的原⼦核和带负电的电⼦组成的。电⼦分⼏层围绕 原⼦核作⾼速运动。内层的电⼦受到原⼦核的吸引⼒较⼤，外层的电⼦受到原⼦核的吸引⼒较⼩。受到原⼦核吸引⼒最⼩的最外层电⼦称为 价电⼦。物质的化合价由价电⼦的数⽬决定，有⼏个价电⼦就称为⼏价元素。 ⾦属材料的价电⼦受原⼦核的吸引⼒⼩，故⼤量的价电⼦都能够挣脱原⼦核的束缚⽽成为⾃由电⼦。这些 ⾃由电⼦在外电场的作⽤下，作定 向运动⽽形成电流，因此，⾦属的导电性能良好。在绝缘材料中，价电⼦受原⼦核的吸引⼒很⼤，不容易挣脱出来成为⾃由电⼦，所以绝缘 体导电性能很差。半导体材料的原⼦结构⽐较特殊，下⾯以常⽤半导体材料——纯硅和纯锗为例加以说明。 硅和锗均为4价元素,即最外层有4个价电⼦，其原⼦结构如图6－1所⽰。为了达到稳定结构，每个原⼦最外层的4个价电⼦分别和邻近的4 个原⼦中的⼀个价电⼦组成电⼦对，如图6－2所⽰。电⼦对中的价电⼦⼀⽅⾯围绕 ⾃⾝的原⼦核运动，另⼀⽅⾯也围绕另⼀个原⼦的原⼦ 核运动。化学家称这种电⼦对为共价键。每个原⼦以共价键的形式与相邻的四个原⼦结合成晶体结构。这种结构称为共价键结构。当这种晶 体结构的半导体纯净⽽⽆杂质时，称为本征半导体。半导体⼀般都具有这种晶体结构，所以半导体也称为晶体，这就是晶体管名称的由来。 在共价键结构中，原⼦的最外层虽然有8个电⼦，但共价键中的价电⼦并不象绝缘体中的电⼦被束缚得那样紧。共价键中的价电⼦在获得⼀ 定能量后，就可以挣脱原⼦核的束缚⽽ 成为⾃由电⼦。失去⼀个价电⼦的共价键中就留下了—个空位，这个空位称为空⽳。失去价电⼦的 原⼦带正电荷，它能吸引相邻共价键中的价电⼦来填补这个空⽳。相邻的共价键由于失去价电⼦留下了新的空⽳，这个新空⽳⼜会被其它的 共价键中价电⼦所填补。这样继续下去，形成了⼀种价电⼦递补空⽳的运动。这种价电⼦运动的结果，就相当于正电荷在运动。通常把空⽳ 形象化地冠予它带正电，⽤带正电的空⽳运动来表征价电⼦的递补运动。在没有外电场作⽤时，电⼦和空⽳的运动都是⽆规律的。在外电场 作⽤下，⾃由电⼦和空⽳都按⼀定的⽅向移动。 由⾃由电⼦的移动所形成的电流称为电⼦电流。由共价键中的价电⼦填补空⽳所形成的电流称为空⽳电流。在半导体中，电流等于电⼦电流 与空⽳电流的总和。⾃由电⼦和空⽳都称为载流⼦。载流⼦的数 ⽬愈多。则半导体材料的导电性能愈好。 在纯净的半导体中，共价键中的个别价电⼦由于吸收了⼀定能量⽽冲破共价键的束缚，成为⾃由电⼦，同时出现相同数⽬的空⽳，这个过程 叫做激发。与此同时，⾃由电⼦在运动中⼜会与空⽳重新结合⽽消失，这种过程称为复合。这与共价键中的价电⼦填补空⽳是完全不同的。 价电⼦填补空⽳形成了空⽳电流，⽽⾃由电⼦和空⽳复合，则 ⾃由电⼦和空⽳同时消失。激发和复合总是在半导体中不断进⾏的，所以，在 ⼀定温度下，半导体中的载流⼦数 ⽬基本上是⼀定的。温度愈⾼，则载流⼦的数 ⽬愈多，导电性能也就愈好。所以，温度对半导体的导电性 能影响很⼤。 ⼆、N型半导体和P型半导体 本征半导体虽然有⾃由电⼦和空⽳两种载流⼦，但由于数量极少，导电能⼒仍然很低。如果在其中掺⼊微量的杂质(某种元素)，这将使掺杂 后的半导体(杂质半导体)的导电性能⼤⼤增强。 由于掺⼊的杂质不同，杂质半导体可分为两⼤类。 ⼀类是在硅或锗的晶体中掺⼊磷(或其他五价元素)。磷原⼦的最外层有五个价电⼦（图6－3）。由于掺⼊硅晶体的磷原⼦数⽐硅原⼦数少得 多，因此整个晶体结构基本上不变，只是某些位置上的硅原⼦被磷原⼦取代。磷原⼦参加共价键结构只需四个价电⼦，多余的第五个价电⼦ 很容易挣脱磷原⼦核的束缚⽽成为⾃由电⼦（图6－4） ；于是半导体中的⾃由电⼦数⽬