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- 2023-08-19 发布于四川
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本发明公开了一种硅碳负极材料制备方法,具体包括如下步骤:步骤1,将碳源与造孔剂混合,置于通入混合气体的管式炉中进行煅烧;步骤2,将步骤1中所得产物进行酸洗后水洗至中性烘干;步骤3,将步骤2所得产物置于管式炉中进行煅烧后得到多孔碳基体;步骤4,将步骤3所得产物置于回转炉中,通入保护气体和硅源气体的混合气在多孔碳基体内部沉积纳米硅,得到生长纳米硅的多孔碳基体;步骤5,将步骤4所得产物置于回转炉中,在保护气体和有机气源的混合气氛中进行化学气相沉积,对纳米硅生长的多孔碳基体进行软碳包覆,得到硅基负极材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116605875 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310591952.4 C01B 33/029 (2006.01)
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