蚀刻方法和残渣去除方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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蚀刻方法和残渣去除方法.pdf

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本发明提供一种即使在对二氧化硅系残渣物进行蚀刻后进行蚀刻残渣去除也不易产生对残留的SiO2膜的损伤的蚀刻方法和残渣去除方法。用于对形成于SiO2膜的含有碱成分的二氧化硅系残渣物进行蚀刻的蚀刻方法具有：第一阶段，向具有形成有二氧化硅系残渣物的SiO2膜的被处理基板供给HF气体、以及H2O气体或醇气体来选择性地对二氧化硅系残渣物进行蚀刻；以及第二阶段，在第一阶段后，去除通过第一阶段而产生的蚀刻残渣，其中，第二阶段具有：第一工序，向被处理基板供给H2O气体或醇气体；以及第二工序，对第一工序后的被处理基

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109216186 A (43)申请公布日 2019.01.15 (21)申请号 2