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本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供鳍部、沟道层和栅极结构，沟道层形成于鳍部顶部，栅极结构形成于沟道层顶部；刻蚀栅极结构两侧的部分沟道层，以形成位于余下沟道层一侧的漏区凹槽；在余下沟道层靠近漏区凹槽一侧的内部或者侧壁上形成隧穿层；和在漏区凹槽中形成漏区。形成隧穿层后，施加较小的电压，即可产生目标强度的沟道电流，提高半导体器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111092121 A
(43)申请公布日
2020.05.01
(21)申请号 20181
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