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绝缘栅极双极性晶体管包括：半导体基板、包含第一硅化合物的隔离区、包含第二硅化合物的高导热区、第一导电型的集极区与本体区、第二导电型的缓冲区、漂移区与至少一源极区。半导体基板具有在水平方向延伸的顶面与底面。高导热区具有底部与侧壁部。第二硅化合物具有比硅更高的热传导系数。集极区设置于高导热区上。缓冲区设置于集极区上。第二导电型与第一导电型相反。漂移区设置于缓冲区上。本体区设置于漂移区中。至少一源极区设置于本体区中。隔离区在水平方向环绕高导热区。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219553638 U
(45)授权公告日 2023.08.18
(21)申请号 202320853446.3
(22)申请日 2023.04.17
(30)优先权数据
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