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在半导体鳍和栅极堆叠件上形成蚀刻停止层。利用前体材料的一系列脉冲形成蚀刻停止层。第一脉冲将第一前体材料引入半导体鳍和栅极堆叠件。第二脉冲引入第二前体材料，该第二前体材料转变成等离子体，然后在各向异性沉积工艺中导向半导体鳍和栅极堆叠件。因此，沿着底面的蚀刻停止层的厚度大于沿着侧壁的蚀刻停止层的厚度。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110783198 A
(43)申请公布日
2020.02.11
(21)申请号 20191
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