半导体器件的制造方法及半导体器件结构.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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半导体器件的制造方法及半导体器件结构.pdf

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本发明涉及半导体器件的制造方法，涉及半导体制造工艺，深沟槽结构的位于P型外延层的部分的侧壁包括N型多晶硅层，至少部分位于深N阱区域内的浅沟槽内的深沟槽一侧的N型多晶硅层与N型埋层和深N阱接触，N型埋层通过彼此连接的N型多晶硅层、深N阱、N型阱、N型重掺杂区、接触孔及金属线引出，靠近P型阱侧的N型多晶硅层与P型重掺杂区分别通过接触孔与同一金属线连接，P型重掺杂区与P型阱、P型外延层及P型衬底连通，使靠近P型阱侧的N型多晶硅层与衬底形成短接，在N型埋层充分引出的情况下，大幅度缩短深N阱高温热推进的时

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111584366 A (43)申请公布日 2020.08.25 (21)申请号 20201