可靠性物理-3.1-氧化层中的电荷.pptxVIP

方 粮 2013年10月8日星期二;1. 概述2. 可靠性的数学基础3. 失效物理4. 失效分析5. 可靠性设计6. 工艺可靠性;微电子电路可靠性物理3.1 氧化层中的电荷;第3章 失效物理;3.1 氧化层中的电荷;3.1.1 氧化层电荷的性质与来源;图3.1 SiO2中的电荷; ; （1） 固定氧化层电荷Qf 2/2; ; （2）可动电荷Qm 2/2; ;（3）界面陷阱电荷Qit 2/5;（3）界面陷阱电荷Qit 3/5;快界面态特点： 界面陷阱与固定氧化层电荷有一定的联系。固定氧化层电荷变化，界面陷阱也常常发生变化。高能电荷注入氧化层，会打破栅氧化层中的Si-O键，形成氧化层陷阱。这种陷阱在热应力或电应力下会向Si-SiO2界面处移动，形成界面态，可从MOS电容样品的高频 C-V曲线上得知。 界面态的数目随低温退火而迅速降低。;慢界面态特点：; ;（4）氧化层陷阱电荷Qot 2/3;;3.1 氧化层中的电荷;3.1.2 对可靠性的影响 ;氧化层电荷对可靠性的影响1/5; ; ;氧化层电荷对可靠性的影响4/5; ;3.1 氧化层中的电荷;3.1.3降低氧化层电荷的措施1/2; （3）氧化层生长后进行适当高温退火处理，以降低Qf和Qit。 （4）在低频低噪声工艺中，适当腐蚀发射区表面，降低基区表面掺杂浓度，以及采用减少应变或热感生缺陷的工艺，可降低Qit，从而