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本发明公开了一种用于提高单晶叶片取向控制精度的螺旋选晶器,包括引晶段和选晶段,选晶段的一端与引晶段连接,选晶段的另一端与单晶叶片型腔连接,引晶段的结构由至少一个锥台叠加构成,每个锥台的上底面尺寸均大于其下底面尺寸,锥台的横截面为圆形或正方形。本发明采用至少一个上大下小的锥台叠加构成的引晶段结构,能够提高晶粒在竞争生长淘汰过程中引晶段的热流方向性,补偿抵消选晶阶段温度梯度的径向分量,增加热流与竖直方向的平行度,使热流沿着竖直方向自上而下传导,从而减小单晶取向偏离度,提高单晶叶片取向控制精度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116607202 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310584431.6
(22)申请日 2023.05.23
(71)申请人 中国航发北京航空材料研究院
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