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长波长InAs/GaAs量子点的MOCVD生长及激光器制作的开题报告 题目：长波长InAs/GaAs量子点的MOCVD生长及激光器制作 摘要： 本文主要探讨了长波长InAs/GaAs量子点的MOCVD生长技术及激光器制作工艺。首先介绍了量子点激光器的基本原理及其在通信和生物医学等领域的应用。随后，详细阐述了InAs/GaAs量子点的MOCVD生长条件的选择和优化，包括了生长温度、生长时间、生长压力、反应气体流量等参数的影响。通过优化生长参数，成功获得了具有较好光学性能的InAs/GaAs量子点材料。 在生长优质量子点材料的基础上，本文进一步探究了激光器的制作工艺，包括阱、窗和铝反射镜的制备，量子点激光器结构的设计等方面。在此基础上，成功制备了长波长InAs/GaAs量子点激光器，并对其进行了性能测试。最终的测试结果表明，所制备的激光器具有较低的阈值电流和较高的输出功率，满足了实际应用的要求。 综上，本文的研究成果对于长波长量子点激光器的生长和制备工艺提供了实用的经验，并为其在通信和生物医学等领域的应用开辟了新的可能性。 关键词：量子点激光器，MOCVD，InAs/GaAs，生长条件，制备工艺