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GaN基LED中AlGaN电子阻挡层的模拟研究 The Simulation Study of AlGaN EBL in GaN-Based LED GaN基LED中AlGaN电子阻挡层的模拟研究 PAGE III 2 - 摘 要 氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，是一种直接间隙半导体，拥有很多优秀的性质：带隙宽（在室温环境下大约为3.39eV）、热导率高、化学性质稳定、耐高温、电子饱和迁移率高，最重要的是拥有高的发光效率，在大功率半导体器件、固体照明以及微波器件等等这些领域都有很广阔的发展空间。随着对于氮化镓(GaN)有了更深入的研究，氮化镓(GaN)已经在照明方面取得了很大的发展