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具有超低漏电流的4H-SiC SJ JBS的研究的中期报告 4H-SiC超结(SJ)结型结(SJ-MESFET)是一种高速高功率半导体器件，具有超低漏电流和较高的热稳定性。SJ-MESFET具有高迁移率和高耐压特性，因此在高速开关和微波器件中应用广泛。本报告将介绍4H-SiC SJ-MESFET的性能和特点。 首先，4H-SiC SJ-MESFET的基本结构和制备过程将被介绍。该器件由4H-SiC薄膜上增长的p型超结和n型MOSFET组成。利用化学气相沉积(CVD)和离子注入技术制备4H-SiC超结。通过离子注入形成浅层导电层，然后形成源和漏区域。最后，利用金属化学气相沉积方法制备接触电极，并形成4H-SiC SJ-MESFET器件结构。 接下来，将介绍4H-SiC SJ-MESFET的性能特点。该器件具有极低的漏电流和高的电流开关比，使得其在高温状态下具有较好的开关特性。另外，该器件还具有高的热稳定性和可靠性，使其在高温和高功率应用中具有潜力。 最后，将介绍4H-SiC SJ-MESFET未来的研究方向。未来的研究重点将放在器件的制造工艺和器件的性能优化上。例如，通过改善超结的结构和优化接触电极来提高器件的性能。同时，需要更加深入地研究器件的物理机制和工作原理，以实现更高效、更可靠的4H-SiC SJ-MESFET器件。