(34)--1.1.3模拟电子技术课件.pdfVIP

PN结的形成及其单向导电性 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的结电容效应 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 自由电子 空穴 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 空穴 负离子 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 正离 自由电子 子 P 型半导体 N 型半导体 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 空间电荷区耗尽层 内电场 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 自由电子 空穴 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 空穴 负离子 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 正离 自由电子 子 P 型半导体 N 型半导体 扩散运动：多数载流子由于浓度差引起的运动 PN 结 阻挡层 内电场 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ P 型半导体 N 型半导体 P 、N两区载流子浓度差异 多子扩散运动 內电场 阻碍多子扩散，促进少子漂移 扩散运动与漂移运动达到 动态平衡 空间电荷区的宽度一定 PN结 漂移运动：少数载流子在内电场作用下的定向运动 若P区与N区掺杂浓度相同，形成对称的PN结。 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 对称PN结 －－－－－－ ＋＋＋＋＋＋ 若P区与N区掺杂浓度不相同，形成不对称的PN结。 －－－－－ ＋ ＋ ＋＋＋＋ －－－－－ + P N非对称结 －－－－－ ＋ ＋ ＋＋＋＋ －－－ －－ 二、 PN结的单向导电性 (1) PN结外加正向电压时处于导通状态 正向电压、正向接法、正向偏置、正偏 P区 N区 扩散运动加强形成正向电流 IF －－－－＋＋＋＋ 外电场抵消内电场 I F －－－－ ＋