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二极管的伏安特性
伏安特性方程
伏安特性曲线及其分区
两种不同类型二极管的伏安特性的比较
1. 伏安特性方程
玻尔兹曼常数 绝对温度
kT
U
T
q
电子电量
u / U
iD I S (e D T 1)
反向饱和电流 温度 当T = 300(27C) ：
电压当量
U = 26 mV
T
二极管实质就是一个PN结！
2. 伏安特性曲线及其分区
i /mA
记得对二极管限流！ D
不要让二极管击穿了！ 正向特性
U II ②
S
(BR) S ① u /V
击穿电压反 ③ O Uth D
反向特性
向④ 开启电压
①0 u U 时，i = 0 击
I th D
穿
②u U 时，i 急剧上升
I th D 反向饱
和电流
③ ︱U(BR) ︱ ︱uI ︱ 0时, iD = IS
④ ︱uI ︱ ︱U(BR) ︱时，反向电流急剧增大(反向击穿)
材料 开启电压Uth 导通电压UD(on) 反向饱和电流
硅Si 0.5V 0.6~0.8V （通常取0.7V ） 1µA以下
锗Ge 0.1V 0.2~0.3V （通常取0.3V ） 几十µA
3.两种不同类型二极管的伏安特性的比较
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