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一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜.pdf

    本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116623282 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310420997.5 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 中国科学院宁波材

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