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- 2023-08-23 发布于四川
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本发明涉及一种光电半导体组件(10),包括适用于产生电磁辐射(20)的半导体层堆(103)。该半导体层堆(103)布置在衬底(100)上方并且被结构化形成台面(109),从而所述半导体层堆(103)不存在于所述衬底(100)的边缘区域(104)中,该光电半导体组件(10)还在半导体层堆(103)的远离衬底的一侧上包括转换器元件(108),以及金层(105),所述金层在所述衬底(100)的边缘区域(104)上方位于所述衬底(100)和所述半导体层堆(103)之间的布置平面中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116636025 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202280008432.X (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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