原创力文档- 3
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- 2023-08-23 发布于四川
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一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区，以及在所述第一存储器区与所述第二存储器区之间的中间区。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面板跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述面板横向处于第一存储器块区与第二存储器块区之间。掺杂半导体材料在所述存储器区和所述中间区内，且紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的导电源极结构的至少一部分。绝缘环横向包围所述导电柱的下部区且在所述导电柱与所述掺杂半导体材料之间。绝缘内衬沿着所述导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116636323 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202280008633.X (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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