原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请涉及电力电子测试领域，公开了一种IGBT模块驱动板VCE退饱和测试方法，包括以下步骤：步骤一、将IGBTB半桥模块的上桥短路；步骤二、通过信号发生器输出脉冲，并经过IGBT驱动板的控制电路，对脉冲信号处理，实现控制下桥导通；步骤三、下桥导通和上桥的短路线形成IGBTB短路退出饱和区，Vce快速上升直至母线电压，Dm马上截止，电流源则向DESAT电容Ca充电，Ca的电位线性上升，达到VDESAT_TH时比较器翻转。通过先将IGBTB半桥模块的上桥短路，再利用控制电路对脉冲信号进行处理，实现瞬
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116626466 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310598186.4
(22)申请日 2023.05.25
(71)申请人 深圳硅山技术有限公司
地址 51
文档评论（0）