- 0
- 0
- 约2.39万字
- 约 20页
- 2023-08-23 发布于四川
- 举报
光电器件(1)包括发射结构(2),其至少一部分由一种或多种半导体材料形成,其被配置为当它具有电流流过其中时产生发光辐射,所述发光辐射在发射结构内产生并且具有平均波长λ,该发射结构具有平均光学折射率n并且由出射表面(4)界定,所述发光辐射的至少一部分通过该出射表面离开,该器件还包括抗反射结构(3),其包括亚波长周期性光栅,该光栅包括形成间距(a)小于λ/[2.n]的周期性结构的中空部分(7)和突出部分(6)。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116632131 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310143102.8 H01L 33/36 (2010.01)
您可能关注的文档
最近下载
- 2026年全国青少年航天创新大赛(航天知识问答)全真模拟试题及答案.docx
- 危险化学品仓库建设及储存安全规范.pdf VIP
- 深圳市《房屋市政工程生产安全重大事故隐患检查手册(2024版)》.pptx VIP
- 危险化学品仓库安全管理制度全套(含仓管员职责、操作规程、应急处理).docx VIP
- 瑞丰银行2012年度信息披露报告.PDF VIP
- 在线网课学习课堂《设计语言与心理研究(山东)》单元测试考核答案.docx
- 毛概读书报告 《毛泽东选集》第一卷.doc VIP
- 腹痛的鉴别诊断.ppt VIP
- 电力系统调度运行操作规程.docx VIP
- (正式版)DB42∕T 2507-2026 《受污染耕地安全利用项目实施规范》.pdf VIP
原创力文档

文档评论(0)