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一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法.pdf

    本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法，属于半导体加工领域，将生长外延层的步骤分成了若干个周期，每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程，气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量，且碳源流量为零。气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中，能够周期性地修正反应室中的气氛，全程不会完全中断生长源气流，对台阶流生长模式的影响小，有利于降低外延片缺陷密度，低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果，有利于修复衬底表面缺陷、提升外延

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116623296 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310419900.9 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 季华实验室 地址 528200

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