第一章光电技术基础演示文稿.pptVIP

由上面的式子可以得到 式中,V是辐射体的光视效率。 标准钨丝灯发光光谱的分布如图所示，图中的曲线分别为标准钨丝灯的相对光谱辐射 分 、光谱光视效率V（λ）和光谱光视效率与相对光谱辐射分布之积 ，积分 为 曲线所围的面积Al，而积分 当前第62页\共有99页\编于星期六\13点 面积A2。因此，可得标准钨丝 灯的光视效能Kw为 lm/W 已知某种辐射体的光视效能K和辐射量Xe，就能够计算出该辐射体的光度量Xv，该式是辐射体的辐射量和光度量的转换关系式。 当前第63页\共有99页\编于星期六\13点 例如，对于色温为 2 856 K的标准钨丝灯其光视效能为17lm/W，当标准钨丝灯发出的辐射通量为Φe＝100W时，其光通量为 Φv = 1710lm。 由此可见，色温越高的辐射体，它的可见光的成分越多，光视效能越高，光度量也越高。白炽钨丝灯的供电电压降低时，灯丝温度降低，灯的可见光部分的光谱减弱，光视效能降低，用照度计检测光照度时，照度将显著下降。 当前第64页\共有99页\编于星期六\13点 例 已知某He-Ne激光器的输出功率为3mW，试计算其发出的光通量为多少lm？ 解 He-Ne激光器输出的光为光谱辐射通量，可以计算出它发出的光通量为 Φv,λ=Kλ,eΦe,λ=KmV(λ)Φe,λ =683×0.24×3×10-3 =0.492(lm) 当前第65页\共有99页\编于星期六\13点 三、 半导体的光电性质 1. 半导体的光吸收 (1) 本征吸收 光照下，价带中的电子吸收光子能量后从价带跃迁到导带， 产生电子-空穴对。电子的这种带与带间跃迁的吸收过程。 本征吸收发生的必要条件：光子能量h?大于等于禁带宽度Eg, 即 h?? h?0=Eg 本征吸收限：当光子频率小于?0(波长大于?0)时，吸收系数迅速下降，对应的频率?0或波长?0为本征吸收限。 当前第66页\共有99页\编于星期六\13点 h?? Eg? 只有波长小于?L的辐射才能产生本征吸收 当前第67页\共有99页\编于星期六\13点 直接跃迁：跃迁过程中，价带中的电子垂直跃迁到具有相同波矢k的导带上。 直接带隙半导体：在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁过程 间接带隙半导体：导带极小值和价带极大值不具有相同的k的半导体。在本征吸收过程中，产生电子的间接跃迁过程 当前第68页\共有99页\编于星期六\13点 （2）杂质吸收 在半导体中掺入杂质原子（施主或受主原子），在半导体的带隙中引入杂质能级，束缚在杂质能级上的电子吸收光能发生跃迁引起的光吸收。 Si、Ge而言，施主通常是V族元素。电离能较小，在Si中约0.04～0.05eV，Ge中约0.01eV。 施主杂质：在半导体中产生导电电子，其掺杂的半导体称为n型半导体 施主杂质电离能ΔED： 当前第69页\共有99页\编于星期六\13点 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴的杂质。 p型半导体： 依靠价带空穴导电的半导体。 受主杂质电离能ΔEA： 当前第70页\共有99页\编于星期六\13点 1. 辐射量 ⑴ 辐射能：以辐射形式发射或传输的电磁波能量（主要指紫外、可见光和红外辐射）。一般用符号Qe表示，其单位是焦耳（J）。 ⑵ 辐射通量：辐射通量?e又称为辐射功率。为单位时间内流过的辐射能量，即 单位：瓦特（W）或焦耳?秒（J?s）。 当前第30页\共有99页\编于星期六\13点 ⑶ 辐射出射度Me : 反映物体辐射能力的物理量。辐射体单位面积向半空间发射的辐射通量，即 单位：W/m2。 ⑷辐射强度：点辐射源在给 定方向上发射的在单位立体角内的辐射通量，用Ie表示，即 单位：瓦特?球面度-1（W?sr-1）。 当前第31页\共有99页\编于星期六\13点 即 S ? d? dS d? 图2 辐射亮度示意图 如果一个各向同性均匀介质中的点辐射体向所有方向发射的总辐射通量是?e，则该点辐射体在各个方向的辐射强度Ie是常量，有 当前第32页\共有99页\编于星期六\13点 ⑸ 辐射亮度: 面辐射源在某一给定方向上的辐射通量。如图所示。 S ? d? dS d? 图2 辐射亮度示意图 ?是给定方向和辐射源面元法线间的夹角。 单位：瓦特/球面度?米2（W/sr·m2）。 当前第33页\共有99页\编于星期六\13点 一般辐射体的辐射强度与空间方向有关。 但是有些辐射体的辐射强度在空间方向上的分布满足 Ie0是面元dS沿其法线方向的辐射强度，又称为余弦辐射体或朗伯体。(1)式代入(2)式得到余弦辐射体的辐射亮度为 当前第34页\共有99页\编于星期六\13点 余弦辐