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W掺杂调控SnS2 薄膜的性能及其NH3,H2S吸附的研究.docx

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    PAGE II PAGE III W掺杂调控SnS2 薄膜的性能及其NH3,H2S吸附的研究 摘要 内容 采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,利用量子化学、分子图形学和量子化学计算软件程序VASP、P4VASP、VESTA等计算研究少层SnS2薄膜的微观几何结构、电子结构、电荷分布、电子能态以及W掺杂调控对SnS2薄膜性能的调控。系统研究不同W掺杂的SnS2薄膜对NH3,H2S吸附性能,寻找最有效的W掺杂对NH3,H2S气体的最佳选择性。从而为基于W掺杂的SnS2薄膜器件的设计和研发提供一定的理论依据和支撑。 关键词： 二硫化锡 第一性原理 密度泛函数 Study on

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