Si衬底上ZnO薄膜的水热法制备研究.docxVIP

PAGE III 摘要 近年来，ZnO纳米材料在电子元器件领域表现出巨大的潜力。ZnO材料的带隙宽度为3.37eV,其激子束缚能为60meV，激发发光波长为365nm，由于其化学性质稳定、热稳定性好、生物兼容好、透过率高等优势，在气敏传感器、场效应管、光电二极管、电子晶体等领域都有着广泛的应用。ZnO材料是目前使用最为宽泛的宽带隙半导体材料之一。 目前已呈现多种多样的ZnO薄膜制备方法，对比于磁控溅射、化学气相沉积（CVD）等方法，水溶液生长法具有有成本低、操作简便、可低温操作、能生长出质量较好的晶体等优点，本文一水溶液生长法，探究不同温度、不同计量比对ZnO生长的影响。 选取