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一种浮结型肖特基二极管.pdfVIP

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  • 2023-08-25 发布于四川
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一种浮结型肖特基二极管.pdf

    本实用新型涉及一种浮结型肖特基二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结区3，位于所述外延层2中间的矩形槽内；绝缘型多晶硅层4，位于所述浮结区3上层；沟槽5，位于所述绝缘型多晶硅层4上层；肖特基接触的阴极6，位于所述衬底层1下层；肖特基接触的阳极7，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层4和所述沟槽5。本实用新型提出的二极管，通过改善了浮结型肖特基二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，同时，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210224043 U (45)授权公告日 2020.03.31 (21)申请号 20192

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