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- 2023-08-25 发布于四川
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本实用新型公开了一种具有阴影板的原子层沉积设备与系统,所述的原子层沉积设备包括一个反应室、一个等离子体生成装置、一个沉积室、一个真空装置、至少一个第一进气装置、以及至少一个第二进气装置。所述沉积室包括一个晶圆固定台,用于固定所述半导体衬底,所述半导体衬底包括至少一个晶圆。所述等离子体生成装置包括一个顶板、一个射频电极、以及一个阴影板,其中,所述阴影板是用于防止在所述射频电极附近产生的离子直接到达所述半导体衬底的表面,具有使所述等离子体通过的至少一个通孔,所述射频电极可以是网格状射频电极或圆环状射
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210215542 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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