原创力文档- 2
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- 2023-08-26 发布于四川
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本实用新型提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，腔室盖设置在腔室本体的顶部，并在腔室盖上设置有供等离子体进入腔室本体内部的进入开口；绝缘筒设置在腔室盖上，与腔室盖上表面连接，且绝缘筒的内部与进入开口连通；基座设置在腔室本体的内部，并位于进入开口的下方，且进入开口的正投影至少完全覆盖整个基座的正投影。本实用新型提供的工艺腔室及半导体加工设备，能够减少掉落至基座上的加工副产物，从而提高基座吸附衬底的稳定性，减少清理频率，节约人力，提高生产效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210223960 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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