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半导体器件物理基础北京大学 当前第31页\共有80页\编于星期日\1点 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 半导体器件物理基础 当前第32页\共有80页\编于星期日\1点 PN结的结构 当前第33页\共有80页\编于星期日\1点 1. PN结的形成 N P 空间电荷区XM 空间电荷区－耗尽层 XN XP 空间电荷区为高阻区，因为缺少载流子 当前第34页\共有80页\编于星期日\1点 2. 平衡的PN结：没有外加偏压 能带结构 载流子漂移(电流)和扩散(电流)过程保持平衡(相等)，形成自建场和自建势 自建场和自建势 当前第35页\共有80页\编于星期日\1点 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 当前第36页\共有80页\编于星期日\1点 自建势qVbi 费米能级平直 平衡时的能带结构 当前第37页\共有80页\编于星期日\1点 3.正向偏置的PN结情形 正向偏置时，扩散大于漂移 N区 P区 空穴： 正向电流 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 N P 当前第38页\共有80页\编于星期日\1点 正向的PN结电流输运过程 电流传输与转换（载流子的扩散和