半导体物理刘恩科考研深刻复习归纳.docxVIP

. 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗 IV 族）：两套面心立方点阵沿对角线平移 1/4 套构而成 闪锌矿与混合键（砷化镓 III-V 族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子纤锌矿结构：六方对称结构（AB 堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以在整个晶体中运动。 能带的形成： 组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围内， 可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处 布拉 格反射形成驻波，电 子集聚不同区域，造成能量差） . 自由电子与半导体的 E-K 图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k)E(0)，电子有效质量为负值； 能带越窄，k=0 处的曲率越小，二次微商就小，有效质量就越 大。 . 正负与有效质量正负有关。 空穴：共价键上流失一个电子而出现空位置，认为这个空状态带正电。 波矢为 k 的电子波的布喇格衍射条件： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）： 第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数