第6章逻辑门电路_ST_.pptVIP

一、MOS管的结构 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 6.3.1 MOS管开关特性 MOSD管的结构与工作原理 当前第95页\共有132页\编于星期六\13点 6.3.1 MOS管开关特性 增强型NMOS管基本开关电路 取一块P型半导体作为衬底,用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D,一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的结构和符号 当前第96页\共有132页\编于星期六\13点 N沟道增强型MOSFET的工作原理 MOS管开关特性 2．vDS ＞ 0， vGS（th) ＞ vGS＞0 vGS＞0将在绝缘层产生电场，衬底少数载流子（电子）聚集到栅极下面，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不能形成漏极电流ID。 反型层 产生有漏极电流ID；这说明vGS对ID的控制作用。 3． vDS＞0，vGS＞ vGS（th) 漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 1．vDS ＞ 0，vGS=0 加上+VGS，且足够大至VG