关于电子显微镜的情况.pptx

第三部分 电子显微分析 1武汉理工大学资环学院 管俊芳 第四章 电子显微镜的主要图象电子显微分析1 二次电子产额及二次电子像2 背散射电子像3 吸收电子像4 X射线成分像5 俄歇电子像6 透射电子像2武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (1)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象3武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (2)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象A. 二次电子产额（ δ ） 二次电子信号主要来自样品表层5-10nm深度范围，因为只有在这个深度范围，由于入射电子激发而产生的二次电子，才具有足够的能量，克服材料表面的势垒，使二次电子从样品中发射出来。4武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (3)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象 入射电子能量E较低时，随束能增加二次电子产额δ增加，而在高束能区，δ随E增加而逐渐降低。 原因是进入试样的深度…5武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (4)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象对于金属材料： Emax=100-800eV, δmax=0.35-1.6, 非金属材料： Emax=300-2000eV,δmax=1-10。因此，如果仪器以检测二次电子为主要目的时，加速电压不宜过高（一般10－20KV）。 6武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (5)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象 除了与入射能量有关外，δ还与二次电子束与试样表面法线之间的夹角有关，二者之间满足以下关系： δ＝k/cosθ δ ：二次电子产额 θ ：电子束与试验表面法线之间的夹角 k ：比例常数 可见，入射电子束与试样夹角越大，二次电子产额也越大。7武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (6)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象产生上述规律的原因：随θ角的增加,入射电子束在样品表层范围内运动的总轨迹增长，引起价电子电离的机会增多，产生二次电子数量就增加；其次，是随着θ角增大，入射电子束作用体积更靠近表面层，作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多，从而二次电子的产额增大。 8武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (7)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象9武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (8)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象10武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (9)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象B 二次电子图象11武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (10)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象 通过一定的方式控制电子束，在样品表面的一个微小区域，逐点轰击样品，二次电子接收器（探测器）也相应地逐点收集。 把以上收集到的信号转化成图像的方式，即得到二次电子像－－形貌像。 收集到信号多时，形貌像上表现为亮度大，否则为阴影。12武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (11)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象An image of the broken surface of a piece of metal, formed using secondary electron imaging.13武汉理工大学资环学院 管俊芳 1 二次电子产额及二次电子像 (12)电子显微分析 第四章 电子显微镜的主要图象An image of the mesh, formed using secondary electron imaging. Magnification: 310,000 14武汉理工大学资环学院 管俊芳 (a) Scanning electron microscope image no. 1: kaolinite stacks with broken edges. (b) Scanning electron microscope imageno. 2: rolled kaolinite layers and pseudohexagonal platelets. (c)Scanning electron microscope image no. 3: broken edges of the kaolinite platelets and disordering of the kaolinit