半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第9章 刻蚀工艺.pptxVIP

2023-04-26;集成电路工艺流程;9.1 刻蚀工艺的介绍;什么是刻蚀—定义;什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子;什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子;什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子;什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子;什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子;什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子;Applications of Etch (刻蚀的应用) IC Fabrication (集成电路制造) Mask making (掩膜版制造) Printed electronic board (印刷电路板) … …;Wet Etch Profiles (湿法刻蚀图形) 最小图形尺寸小于3 mm，须采用干法(等离子体)刻蚀;Discussion: 哪里需要用刻蚀？;2023-04-26;9.2 刻蚀工艺基础;Etch Rate (刻蚀速率);刻蚀的均匀性;Selectivity (选择性);Exercise PSG film is 6000 ?, PSG to Si, S = 200:1, thickness of Si film is etched?;20;21;负载效应;Micro Loading (微观负载);Profile Micro Loading (微观负载图形);过刻蚀;Start Etch Process (开始刻蚀工艺);Main Etch Endpoint (主刻蚀终点);After Over Etch (过刻蚀之后);Insufficient Over Etch (不充分过刻蚀);Non-volatile Residue (非挥发性残留物;Remove Residues (清除残留物) Adequate over etch (充足的过刻蚀) Removal of non-volatile residues(残留物) Sufficient ion bombardment(离子轰击) Right amount(适量) of chemical etch Oxygen plasma ashing(灰化): Organic residu Wet(湿法) chemical clean: inorganic residu;2023-04-26;33;湿法刻蚀简介—工艺步骤;Applications of Wet Etch (湿法刻蚀应用) Can not be used for CD 3 mm High selectivity (高选择性) Strip(剥离) etch: nitride(氮化物), titaniu;氧化物刻蚀;Wide Glass Contact (酒杯状接触孔);氧化物刻蚀—HF;硅刻蚀;硅刻蚀;Isolation Formation (形成隔离);硅刻蚀— HNO3、KOH;Wet Etching Silicon Nitride (氮化硅) High selectivity (高选择性) to SiO2 and Si — 180℃, 91.5%, ER = 100 ?/min, S 10:1 (for SiO2), S 30:1 (for Si) — 200℃, 94.5%, ER = 200 ?/min, S 5:1 (for SiO2), S 20:1 (for Si) Used for LOCOS and STI nitride strip;H3PO4：一种无味液体，具有强腐蚀性，若与皮肤和眼睛直接接触，会导致严重的烧伤。H3PO4气体可造成眼、喉、鼻不适，甚至咳嗽以及眼、皮肤、肺的灼伤。长期接触会腐蚀牙齿。;Wet Etching Aluminum(铝) 80% H3PO4, 5% CH3COOH, 5% HNO3, 10 % H2O HNO3 oxidizes aluminum(将铝氧化) H3PO4 removes aluminum oxide (移除氧化铝) CH3COOH slows down the oxidation of HNO3;Wet Etching nickel/Titanium (镍/钛) 1:1 mixture of H2O2 and H2SO4 H2O2 oxidizes Ni to form NiO2 H2SO4 removes NiO2 (移除氧化镍) H2O2 oxidizes Ti to form TiO2 H2SO4 removes TiO2 (移除氧化钛);Self-aligned Titanium Silicide Formation (自对准钛硅化物形成);醋酸：腐蚀性和易燃液体，醋酸气体可造成咳嗽、胸痛、反胃和呕吐。 H2O2：氧化剂，直接接触会造成皮肤和眼睛的灼伤，H2O2气体可造成鼻子和喉咙严重不适。 H2SO4：腐蚀性，直接接触会造成皮肤的灼伤， H2SO4气体可造成皮