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PAGE 10 PAGE 10 福州大学至诚学院 09 级《半导体物理学》期末考复习材料 信息工程 系 微电子学 专业 1 班 姓名： 陈长彬 学号： 210991803 第一章半导体中的电子状态 元素半导体 硅 和 锗 都是 金刚石 结构 。 结构上，金刚石结构由 两套面心立方格子 沿其立方体对角线位移 1/4 的长度套构而成的， 在四面体结构的共价晶体中，四个共价键是 sp3 杂化 。 第 III 族元素铝、镓、铟和第 V 族元素磷、砷、锑组成的 III-V 族化合物 。也是正四面体结构，四个共价键也是 sp3 杂化，但具有一定程度的离子性。是 闪锌矿 结构。 ZnS、GeS、ZnSe 和 GeSe 等 Ⅱ-Ⅵ族化合物 都可以 闪锌矿型 和 纤锌矿型 两种方式结晶，也是以 正四面体结构 为基础构成的，四个混合共价键也是 sp3 杂化，也有一定程度的离子性。 Ge、Si 的禁带宽度具有 负温度系数 。禁带宽度 E 随温度增加而减小( 负温度系数特性 ) g 半导体与导体的最大差别： 半导体的电子和空穴均参与导电 。 半导体与绝缘体的最大差别： 在通常温度下，半导体已具有一定的导电能力 。 有效质量的意义 半导体中的电子在外场作用下运动时，外力并不是电子受力的总和，电子一方面受到外电场力的作用，另一方面还和内部的原子、电子相互作 用着。电子的加速度应该是 半导体内部