原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，制备方法包括：在预制器件的沟道层上方生成第一预设厚度的第一势垒层；所述预制器件包括衬底和设置在所述衬底一侧的所述沟道层；根据目标晶体管的预设器件参数确定目标栅极凹陷在所述第一势垒层的位置信息；在所述第一势垒层的所述位置信息对应的区域上沉积第二预设厚度的光刻胶；在沉积所述光刻胶后，在所述第一势垒层上方依次生成第三预设厚度的第二势垒层和第四预设厚度的氧化层；清除所述光刻胶，得到具有栅极凹陷的多层结构。上述制备方法能够提高晶体管中栅极凹陷的准确度，从
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666213 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310525551.9
(22)申请日 2023.05.10
(71)申请人 天狼芯半导体（成都）有限公司
地址
文档评论（0）