蚀刻气体混合物及使用其制造集成电路器件的方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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蚀刻气体混合物及使用其制造集成电路器件的方法.pdf

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一种蚀刻气体混合物包括含氮化合物和惰性气体。为了制造集成电路(IC)器件，通过使用从该蚀刻气体混合物产生的等离子体来蚀刻衬底上的含硅膜，并且因此在含硅膜中形成孔。含氮化合物选自由式1表示的化合物和由式2表示的化合物：[式1](R1)C≡N其中，在式1中，R1是C2至C3直链或支链全氟烷基，[式2](R2)(R3)C＝NH其中，在式2中，R2和R3中的每一个独立地为C1至C2直链全氟烷基。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116656364 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310140919.X (51)Int.Cl .