浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构.pdf

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本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构。所述制备方法，包括:提供衬底，在衬底的表面依次层叠形成垫氧层和硬掩膜层；以图案化后的硬掩膜层为掩膜刻蚀垫氧层及衬底，以在垫氧层中形成开口，在衬底中形成沟槽；在沟槽内形成衬底氧化层；形成第一阻挡层，第一阻挡层覆盖硬掩膜层和衬底氧化层；形成第一氧化层，第一氧化层覆盖第一阻挡层；去除硬掩膜层上表面的第一阻挡层和第一氧化层；去除衬底上表面的垫氧层和硬掩膜层以形成第二阻挡层。本申请可以提高浅沟槽隔离结构的隔离性能，以改善半导体结构的使用可靠性及良率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666302 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202210153623.7 (22)申请日 2022.02.18 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23