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本发明公开了一种闪存的读电路的控制装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件，包括：第一源和第二源漏区，多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，第一栅极结构间的第二栅极结构。各第一栅极结构的控制栅连接到控制栅线。第二栅极结构连接到对应的字线。控制装置用于实现对未选定存储位的控制栅电压和字线电压进行控制，包括：设置第一时间段，将控制栅电压和字线电压设置为高压以实现读取；在第一时间段后设置第二时间段，在第二时间段内，将控制栅电压和字线电压设置为一个以上依次降低的中压，以防止在第二时间段内产生读取干扰。本发明还提供
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116665741 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310572543.X
(22)申请日 2023.05.19
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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