半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

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本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括提供基底；于基底上形成有源柱，有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段，沿第一方向，于第二段的侧壁、第一段的顶面和第三段的底面上形成第一栅氧化层；于第一栅氧化层上形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的长度小于第一栅氧化层的长度，第二栅氧化层靠近第三段设置，第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度。本公开通过在有源柱的第二段上的不同位置形成两层不同厚度的栅氧化层，从而有效减少栅诱导漏极泄漏电流，进而提高半导

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116669419 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310705736.8 (22)申请日 2021.11.30 (62)分案原申请数据 202111444498.7