包含无缝单向金属层填充物的三维多级器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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包含无缝单向金属层填充物的三维多级器件及其制造方法.pdf

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一种单元层堆叠的竖直重复体在衬底上方形成，单元层堆叠包括绝缘层、牺牲材料层和成核促进剂层。存储器堆叠结构穿过竖直重复体形成。存储器堆叠结构中的每个包括存储器膜和竖直半导体沟道。通过在竖直重复体内相对于绝缘层和成核促进剂层选择性地移除牺牲材料层来形成背侧凹陷部。通过使金属材料从成核促进剂层的物理暴露的表面选择性地生长同时抑制金属材料从绝缘层的物理暴露的表面生长来在背侧凹陷部中形成导电层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111566814 A (43)申请公布日 2020.08.21 (21)申请号 20198